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Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Standard RF Band (see Table 1) . V CC = 5.0V, f RF = 1200MHz to 1700MHz, LO is
high-side injected for a 350MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
50
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
T C = +85°C
50
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
P LO = +3dBm
50
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 5.25V
V CC = 5.0V
40
T C = +25°C
40
P LO = 0dBm
40
P LO = -3dBm
V CC = 4.75V
30
20
T C = -40°C
30
20
P LO = -6dBm
30
20
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
T C = -40°C
T C = +25°C
-30
P LO = +3dBm
P LO = 0dBm
-30
-40
-40
-40
-50
T C = +85°C
-50
P LO = -3dBm
P LO = -6dBm
-50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
-60
-70
-60
-70
-60
-70
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
-10
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
T C = +25°C
T C = -40°C
-20
P LO = +3dBm
P LO = 0dBm
P LO = -3dBm
-20
V CC = 5.25V
-30
-30
-30
-40
-50
T C = +85°C
-40
-50
P LO = -6dBm
-40
-50
V CC = 5.0V
V CC = 4.75V
-60
-60
-60
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
10
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
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